日前在首尔法院的庭审中，关于中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT）早期发展的一段争议性说法被披露。一名曾在三星工作近三十年的前工程师作证称，公司创立之初并不以自主研发为目标，而是意图获取三星的高度机密工艺资料。
被称为“工艺配方计划”的文件据称包含约600条具体制造步骤，详细标注了生产所需的温度、设备压力等参数，使得工程师无需通过长期试验即可复制工艺。三星为调试18纳米内存工艺， reportedly花费了五年时间并投入超过十亿美元。检方指控长鑫通过招募多名前三星员工，将这套工艺参数整体带走，直接加速了量产进程。
事实上，长鑫的产能在短时间内迅速扩张：到2023年其月产能由最初约4万片晶圆增长到72万片，已逼近国际同行规模。韩国检方已对涉案的十名被告提起诉讼，上个月法庭以泄露受保护技术为由判处该名前三星工程师七年有期徒刑。
法律界指出，庭上证词可能被用作三星在国际贸易或知识产权程序中的证据，例如提交给美国国际贸易委员会，进而影响长鑫产品在海外市场的流通。对此事，公司尚未发布公开回应。
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